類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS®-P2
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
180A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
2.4 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 410μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
286 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
18700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO263-7-3
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
基本產(chǎn)品編號
IPB180
