TAJD106M035RNJ_TAJD106M035RNJ導(dǎo)讀
MOS管在硬件設(shè)計中經(jīng)常使用到，下面是N型MOS管，包括柵極G，源極S，漏級D。
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TAJC336M006RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導(dǎo)通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJE687M010RNJ
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
。N型MOS管應(yīng)用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時MOS管導(dǎo)通，電機的電流得以通過，電機轉(zhuǎn)動。當G端為低電平的時候，D、S間無法導(dǎo)通，電機也就無法運行。
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t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th），導(dǎo)電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。
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