TMUX1119DCKR是一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 單極雙投 (2:1) 開關(guān)。1.08V 至 5.5V 的寬電源電壓工作范圍 可支持 醫(yī)療設(shè)備到工業(yè)系統(tǒng)的大量應(yīng)用。該器件可在源極 (Sx) 和漏極 (D) 引腳上支持從 GND 到 VDD 范圍的雙向模擬和數(shù)字信號(hào)。
TMUX1119DCKR所有邏輯輸入均具有兼容 1.8V 邏輯電平的閾值，當(dāng)器件在有效電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行時(shí)，這些閾值可確保 TTL 和 CMOS 邏輯兼容性。失效防護(hù)邏輯 電路允許在電源引腳之前的控制引腳上施加電壓，從而保護(hù)器件免受潛在的損害。
TMUX1119DCKR是精密開關(guān)和多路復(fù)用器器件系列的一部分。這些器件具有非常低的導(dǎo)通和關(guān)斷泄漏電流以及較低的電荷注入，因此可用于高精度測(cè)量 應(yīng)用的高速串行鏈路的穩(wěn)定性。3nA 的低電源電流和小型封裝選項(xiàng)使其可用于便攜式 應(yīng)用的熱管理優(yōu)化而設(shè)計(jì)。中實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率和穩(wěn)健性。
特性
寬電源電壓范圍：1.08V 至 5.5V
低泄漏電流：3pA
低導(dǎo)通電阻：1.8Ω
低電荷注入：–6pC
工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C
兼容 1.8V 邏輯電平
失效防護(hù)邏輯
軌至軌運(yùn)行
雙向信號(hào)路徑
先斷后合開關(guān)
ESD 保護(hù) HBM：2000V
