HUFA76429D3
發(fā)布時間:2022/5/16 9:23:00 訪問次數(shù):56 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
商品屬性 屬性值 搜尋類似項目
製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-251-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On - 漏-源電阻: 20.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 46 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 110 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: UltraFET
封裝: Tube
品牌: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 56 ns
高度: 6.3 mm
長度: 6.8 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 36 ns
系列: HUFA76429D3
1800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
標準斷開延遲時間: 60 ns
標準開啟延遲時間: 7.7 ns
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