FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)
25A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）
30毫歐@25A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.2V@8μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
16.3nC@10V
Vgs（最大值）
±16V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1220pF@25V
FET功能
功率耗散（最大值）
29W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3-11
封裝/外殼
TO-252-3，DPak
STM32F105RCT6STL60N10F7
STM32F429BIT6STM32F207VET6
M24C02-RMN6PTMS320F28034PNT
MRB20200CT-BPKX023-1025
