TAJE157M010RNJ_TAJE157M010RNJ導(dǎo)讀
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。
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TAJB105K050RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
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TAJV477K006RNJ
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
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NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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