IPW90R120C3XKSA1

IPW90R120C3XKSA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 900 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 120 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 270 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 417 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 25 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 20 ns
原廠包裝數(shù)量: 240
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 400 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 70 ns
零件號(hào)別名: IPW90R120C3 SP002548896
每件重量: 6 g