FDN352AP

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 onsemi
系列 PowerTrench®
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài) 在售
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 1.3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 180 毫歐 @ 1.3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 1.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 150 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號 FDN352
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