TAJV106M050RNJ_TAJV106M050RNJ導(dǎo)讀
這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。
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TAJA475K016RNJ
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。R1提供了對(duì)Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對(duì)MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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TAJA685M020RNJ
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
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