TAJV157M025RNJ_TAJV157M025RNJ導(dǎo)讀
上面就是功率mos管NCE80H12的規(guī)格書,我們電動(dòng)車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實(shí)和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。
TAJV157M025RNJ_TAJV157M025RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
TAJV477M010RNJ
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
TAJV157M025RNJ_TAJV157M025RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
TAJB476M010RNJ
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。
在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
TAJV157M025RNJ_TAJV157M025RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
t0-t1:C GS1 開(kāi)始充電,柵極電壓還沒(méi)有到達(dá)V GS(th),導(dǎo)電溝道沒(méi)有形成,MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。
相關(guān)資訊