IRLR7843TRPBF

IRLR7843TRPBF

類型描述選擇
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 161A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 3.3 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 4380 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào) IRLR7843