符合
生命周期 Active
Objectid 1252035274
包裝說明 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 5.3
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 0.115 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 5 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 5 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
表面貼裝 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
STTH12R06D
STTH15L06FP
STTH30L06WY
2SB764-F
42CTQ030
G23N60UF
G23N60UFD
TLV320AIC3204IRHBR 接口IC
TLV320AIC3254IRHBR
EUA2075JIR1
EUA2075BIIR1
M3005P
SS41G
SS443F
SS41F-6
IXFH58N20
UP0126BJT3-33
LM317P
2SD1297
LAMXO640C-3TN100E
5N120BND
C2625
C2690A-Y
95672
M16168344
BAW56W
FCP190N60
FCP190N60E
IXEL40N400
BUZ71A 其他被動元件
BUZ32
BUZ90A
BUZ11A
BUZ330
BUZ103S
BUZ11A.
BUZ102S
BFC233926106
LM317DCYR
M481ZGCAE
M48T18-150PC1
MTP8N50E
G20120CTW
C4D20120D
G20120CTFW
STPS20120CR
SBT20120LFCT
CBD20120VFCT
08CCOW
AUIRFB8407
AUIRFB8409
20N50GX
FDA59N25
STPS41H100CT
STPS41M100CT
STPS41H100CR
09N90G
