Source Content uid IPP027N08N5
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期 Active
Objectid 8066455497
包裝說明 TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 5.8
雪崩能效等級（Eas） 374 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 80 V
最大漏極電流 (ID) 120 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0027 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 480 A
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
B1205S-1W
AZ5413-01F.R7GR
AOT7N60
DL-4110
DL-4115
DL-4110
AO4892 MOSFET或IGBT開關(guān)IC
IRF520PBF
STF24N60M2
IRF630NPBF
FDPF10N60NZ
STP10NK70ZFP
MC7824CT
PAM8009DHR
SMK0460
SMK0465F
SMK0465D
GS92A3TQ-R
PCF8584P
MSB1241
W25Q256JVEIQ
FQA11N90
SN74ABT16245ADGGR
STF3NK80Z MOSFET或IGBT開關(guān)IC
D476A
TLC372CDR
LM385M-1.2
ISO124U 其他被動元件
KA7905 其他被動元件
M24C02-WMN6TP 存儲IC
T15A 250V
T15A 250V
ETQP4M6R8Y JN
SQJ850EP-T1-GE3
FDP027N08B
2SK1154
FTA04N65
IHLP5050EZER3R3M5A
