FQB5N90TM

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 onsemi
系列 QFET®
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.4A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 2.3 歐姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1550 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），158W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號 FQB5N90