TLJB157M010R0500_TLJB157M010R0500導讀
上面就是功率mos管NCE80H12的規(guī)格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。
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TLJN226M010R3800
在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJB106M010RNJ
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態(tài)。
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