制造商 Infineon 產(chǎn)品種類 IGBT 晶體管 RoHS 是 封裝 / 箱體 TO-247-3 安裝風格 Through Hole 配置 Single 集電極—射極飽和電壓 2.25 V 柵極/發(fā)射極最大電壓 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流 100 A Pd-功率耗散 333 W 最小工作溫度 - 40 C 最大工作溫度 + 175 C 系列 HighSpeed 3 集電極最大連續(xù)電流 Ic 50 A 高度 20.7 mm 長度 15.87 mm 寬度 5.31 mm 柵極—射極漏泄電流 100 nA 零件號別名 IKW50N60H3FKSA1 SP000852244 IKW5N6H3XK IKW50N60H3F 單位重量 38 g 可售賣地 全國
型號
其它產(chǎn)品還有：
0438001.WR
A4979GLPTR-T
AT89C51RD2-RLTUM
AON6512
CRSS042N10N
CL4056A
CL4057A
CL4054D
CKS32F103RBT6
FM24C512D-DN-T-G
FM1701
GMF05C-GS08
GMF05C-HS3-GS08
GSOT12-GS08
GSOT12C-GS08
LFXP2-8E-5QN208C
MCP601T-E/OT 運放IC
MCP601T-I/OT
NANOSMDC110F-2
SMS12C.TCT
SI1303EDL-T1-E3
SM712.TCT
SR12.TCT
SR2.8.TCT
SI3442CDV-T1-GE3
SL24.TCT
SI2323DS-T1-GE3
SMDA24C-5.TBT
SMDA12C-8
SMDA12C-5.TBT
SMDA12C-7.TBT
SMDA12-6.TBT
SMDA12C.TBT
SI2367DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
SI2320DS-T1-GE3
SI2323CDS-T1-GE3
SI2316DS-T1-E3
SI2314EDS-T1-GE3
SI2308DS-T1-E3
SI2306CDS-T1-GE3
SI2306DS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-GE3
SLVU2.8Q.TCT
TC2055-2.8VCTTR
TCM809TENB713
TCM809SENB713
TCM809RENB713
TC1055-5.0VCT713
TC1055-3.6VCT713
