類別 離散式半導(dǎo)體產(chǎn)品電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包裝 編帶和捲軸封裝 (TR)絕緣帶封裝 (CT)Digi-Reel®
產(chǎn)品狀態(tài) 有源
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V
電流 - 連續(xù)汲極 (Id) @ 25°C 100 A (Ta)
驅(qū)動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.2mOhm @ 28A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.3V @ 250μA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4230 pF @ 30 V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 3.1W (Ta)、195W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應(yīng)商元件封裝 8-VSON-CLIP (5x6)
封裝／外殼 8-PowerTDFN
基礎(chǔ)產(chǎn)品編號 CSD18540
