TLJT227M002R1200_TLJT227M002R1200導(dǎo)讀
它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。在襯底上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。
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TAJB476M010RNJ
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
�！び米鳠o觸點開關(guān)：利用三極管的截止和導(dǎo)通特性來控制或驅(qū)動負(fù)載;比如由三極管組成的門電路、開關(guān)電源等。
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TAJD156M050RNJ
。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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結(jié)構(gòu)和符號 (以N溝道增強(qiáng)型為例) —— 在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。
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