制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™-5
包裝
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
4.8 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 255μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
84 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
313W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO263-3
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號(hào)
IPB048
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