BSC027N10NS5ATMA1

類別 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 23A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2.7 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 146μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 111 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 8200 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），214W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TSON-8-3
封裝/外殼 8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號 BSC027