STP13NM60ND

製造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On - 漏-源電阻: 380 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 24.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 109 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15.4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: STP13NM60ND
原廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 9.6 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 46.5 ns
每件重量: 2 g