STP20N65M5

類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ V
包裝 管件
產(chǎn)品狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 190 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1345 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
基本產(chǎn)品編號(hào) STP20