FDMT80060DC: N 溝道，雙 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，60V， 292A，1.1mΩ
FDMT80060DC此 N 溝道 MOSFET 使用先進(jìn)的 PowerTrench® 工藝生產(chǎn)。FDMT80060DC同時結(jié)合了硅和 Dual Cool™ 封裝技術(shù)的發(fā)展，FDMT80060DC可提供最低的 rDS(on)，因為具有極低的結(jié)到環(huán)境熱阻，同時可保持卓越的開關(guān)性能。
最大 rDS(on) = 1.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 43 A
）
最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 8 V、ID = 37 A
）
低 rDS(on)和高效的先進(jìn)硅封裝
下一代先進(jìn)體二極管技術(shù)，專為軟恢復(fù)設(shè)計
薄型 8x8mm MLP 封裝
MSL1 強(qiáng)健封裝設(shè)計
100% 經(jīng)過 UIL 測試
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
Oring FET / Load Switch
Synchronous Rectification
DC-DC Conversion
