STB37N60DM2AG

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid STB37N60DM2AG
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 8149245170
包裝說(shuō)明 TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 1.61
雪崩能效等級(jí)（Eas） 650 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 28 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.11 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 112 A
參考標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON