Source Content uid IPW60R099C6
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1799121267
零件包裝代碼 TO-247
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù) 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級 8.58
雪崩能效等級（Eas） 796 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 37.9 A
最大漏極電流 (ID) 37.9 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.099 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 278 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 112 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
