制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 134 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 30 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
系列: OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
單位重量: 4 g
IPB120N04S4-02
發(fā)布時間:2022/6/24 15:59:00 訪問次數(shù):82
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