STB60NF06LT4

STB60NF06LT4

制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 30 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S
高度: 4.6 mm
長(zhǎng)度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 220 ns
系列: STB60NF06LT4
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 55 ns
典型接通延遲時(shí)間: 35 ns
寬度: 9.35 mm
單位重量: 4 g