類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)
10A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
6V，10V
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）
12.3毫歐@20A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3.5V@33μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
25nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1700pF@40V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），66W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TSDSON-8
封裝/外殼
8-PowerVDFN
基本產(chǎn)品編號
BSZ123
STW48N60DM2
MC33FS8510D3ESR2
BGA824N6E6327XTSA1
BTS5030-2EKA
STM32F334C8T6
