SISA40DN-T1-GE3

SISA40DN-T1-GE3 制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 162 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 53 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 60 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns, 13 ns
系列: SIS
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 1 g