類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個(gè)
制造商
VishaySiliconix
系列
TrenchFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET類型
P通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)
110A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
8毫歐@30A，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）
3V@250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
240nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）
9200pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），272W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
TO-263（D2Pak）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2引線+接片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號(hào)
SUM110
STM32F103RCT6
STM32F103C8T6
STM32F205ZGT6
STM32F207VET6
BQ40Z80RSMR
BQ76200PWR
SQ2361AEES-T1_GE3
SQD50N10-8M9L_GE3
