Source Content uid FQD2N60CTM
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期 Lifetime Buy
Objectid 4001118201
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包裝代碼 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 7.27
雪崩能效等級（Eas） 120 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 1.9 A
最大漏極電流 (ID) 1.9 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 4.7 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 44 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 7.6 A
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
