參數(shù)名稱參數(shù)值是否無(wú)鉛
不含鉛是否Rohs認(rèn)證
符合生命周期TransferredObjectid1006990769零件包裝代碼SOT-23包裝說(shuō)明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3針數(shù)3Reach Compliance CodecompliantECCN代碼EAR99風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)3.94配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源擊穿電壓30 V最大漏極電流 (Abs) (ID)5 A最大漏極電流 (ID)5 A最大漏源導(dǎo)通電阻0.029 ΩFET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代碼TO-236ABJESD-30 代碼R-PDSO-G3JESD-609代碼e3濕度敏感等級(jí)1元件數(shù)量1端子數(shù)量3工作模式ENHANCEMENT MODE最高工作溫度150 °C封裝主體材料PLASTIC/EPOXY封裝形狀RECTANGULAR封裝形式SMALL OUTLINE峰值回流溫度（攝氏度）260極性/信道類型N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)1.3 W最大脈沖漏極電流 (IDM)25 A認(rèn)證狀態(tài)Not Qualified子類別FET General Purpose Power表面貼裝YES端子面層Matte Tin (Sn)端子形式GULL WING端子位置DUAL處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間30晶體管應(yīng)用SWITCHING晶體管元件材料SILICON
