參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid IPB042N10N3G
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 2141061491
零件包裝代碼 D2PAK
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數(shù) 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 5.78
雪崩能效等級（Eas） 340 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 100 A
最大漏極電流 (ID) 100 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0042 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 245
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 214 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 400 A
認證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
