IRFP3206PBF

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid IRFP3206PBF
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Active
Objectid 8006011930
包裝說(shuō)明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks 3 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 1.2
Samacsys Description INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFP3206PBF - MOSFET, N, TO-247AC
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等級(jí)（Eas） 170 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 200 A
最大漏極電流 (ID) 120 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.003 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247AC
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 280 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 840 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON