類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個(gè)
制造商
InfineonTechnologies
系列
CoolMOS
P6
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)
20.2A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
190毫歐@7.6A，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）
4.5V@630μ
不同Vgs時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
11nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）
1750pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO247-3
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號
IPW60R190
TLE7368E
TLE7240SL
TLE7368-2E
S29GL512P10TFIR10
TLF35584QVVS1
UCC27524AQDGNRQ1
MKV10Z64VLF7
PIC16F1939T-I/PT
