IRFL014NTRPBF

參數(shù)名稱參數(shù)值是否無鉛不含鉛是否Rohs認證符合生命周期TransferredObjectid2036241781零件包裝代碼TO-261AA包裝說明LEAD FREE PACKAGE-4針數(shù)4Reach Compliance Codenot_compliantECCN代碼EAR99風險等級3.09其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY外殼連接DRAIN配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源擊穿電壓55 V最大漏極電流 (Abs) (ID)2.7 A最大漏極電流 (ID)1.9 A最大漏源導通電阻0.16 ΩFET 技術METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代碼TO-261AAJESD-30 代碼R-PDSO-G4JESD-609代碼e3濕度敏感等級1元件數(shù)量1端子數(shù)量4工作模式ENHANCEMENT MODE最高工作溫度150 °C封裝主體材料PLASTIC/EPOXY封裝形狀RECTANGULAR封裝形式SMALL OUTLINE峰值回流溫度（攝氏度）NOT SPECIFIED極性/信道類型N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)2.1 W認證狀態(tài)Not Qualified子類別FET General Purpose Power表面貼裝YES端子面層Matte Tin (Sn)端子形式GULL WING端子位置DUAL處于峰值回流溫度下的最長時間NOT SPECIFIED晶體管應用SWITCHING晶體管元件材料SILICON