參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期 Transferred
Objectid 1252055335
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 4.54
雪崩能效等級（Eas） 490 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 195 A
最大漏極電流 (ID) 195 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0016 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 294 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 1270 A
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
