品牌：英飛凌
電流：75A
電壓：1200V
工作溫度(Max)：125 ℃
工作溫度(Min)：-40 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期：2天
庫(kù)存：600
發(fā)貨地：江蘇蘇州
蘇州銀邦電子科技有限公司：
代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開(kāi)拓精神及
良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定
互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）
的誠(chéng)信代理商。通過(guò)多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，公司積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí)，為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、
電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！ 代理品牌：
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；
2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；
3、CONCEPT、IDC驅(qū)動(dòng)片及驅(qū)動(dòng)板；
4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，
開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的
變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，IGBT相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP型晶體管，
它的簡(jiǎn)化等效電路如圖(b)所示，圖中的RN為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。從該等效電路可以清楚地看出，
IGBT是用晶體管和MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。岡為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所以這種結(jié)構(gòu)的IGBT
稱為N溝道IIGBT，其符號(hào)為N-IGBT。類似地還有P溝道IGBT，即P- IGBT。
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