制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 152 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時間: 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 19 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 30 ns
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 69 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
單位重量: 6 g
IXFH50N85X
發(fā)布時間:2022/7/18 10:38:00 訪問次數(shù):57
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