制造商編號(hào)：SI2301CDS-T1-GE3
制造商：Vishay Semiconductors
說明：MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 112 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 3.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 35 ns
系列: SI2
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
單位重量: 8 mg
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