型號：IRLR110TRPBF
品牌：VISHAY
封裝：TO252
零件狀態(tài)：有源
FET類型：N通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（ID）（25°C 時）4.3A（TC）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 2.6A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）：6.1nC @ 5V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：250pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），25W（Tc）
