包括 N 和 P 溝道，功率 MOSFET 組合范圍從 8V 到 650V ，封裝在單，雙，互補(bǔ)和 H 橋
(Quad) configurations.從微小的 DFN0606 到熱效率的 Power DI 都有廣泛的封裝選項。（ Power SO - 8 ）和通孔TO 220 包。通過芯片級封裝的創(chuàng)新，實現(xiàn)給定占地面積的最低 RDS （ ON ）。
二極管 MOSFET 產(chǎn)品組合中的許多產(chǎn)品都是為滿足汽車電子委員會 AEC - Q101 可靠性標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求而設(shè)計的。帶有" Q "后綴的產(chǎn)品表示該產(chǎn)品為汽車級產(chǎn)品，這意味著該設(shè)備已通過嚴(yán)格的 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并完全支持具有 PP AP （生產(chǎn)部件審批流程）和 I ATF 16949 認(rèn)證的制造工廠的汽車客戶。此外，所有的內(nèi)部包裝采用環(huán)�！熬G色”模具化合物。
Mouser編號：621-2N7002-F
制造商編號：2N7002-7-F
制造商：Diodes Incorporated
說明：MOSFET 60V 200mW
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 210 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 223 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 5.6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 mS
高度: 1 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
系列: 2N7002
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
典型關(guān)閉延遲時間: 7.6 ns
典型接通延遲時間: 2.8 ns
寬度: 1.3 mm
單位重量: 8 mg
深圳市燁弘軒電子有限公司，我司2011年成立于中國經(jīng)濟(jì)特區(qū)深圳.我司專注于為全球電子企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的電子零件供應(yīng)服務(wù)，竭力打造全球品牌元器件零售與批量供應(yīng)中心。
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