製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: SC-65-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 500 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On - 漏-源電阻: 270 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 45 nC
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 280 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 25 ns
高度: 20 mm
長度: 15.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: TK20J50D
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 150 ns
標準開啟延遲時間: 100 ns
寬度: 4.5 mm
每件重量: 1.700 g
