類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設(shè)計
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
130A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
7.8 毫歐 @ 78A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
基本產(chǎn)品編號
IRF1407
