參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid LMG5200MOFT
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期 Active
Objectid 8202930783
包裝說明 BCC,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Date Of Intro 2016-11-09
風(fēng)險等級 1.03
Samacsys Description 80V GaN Half Bridge Power Stage
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
模擬集成電路 - 其他類型 ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代碼 R-XBCC-B9
JESD-609代碼 e4
長度 8 mm
濕度敏感等級 3
信道數(shù)量 1
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 9
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
最大輸出電壓 80 V
最小輸出電壓
封裝主體材料 UNSPECIFIED
封裝代碼 BCC
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 CHIP CARRIER
峰值回流溫度（攝氏度） 260
座面最大高度 2 mm
最大供電電壓 (Vsup) 5.25 V
最小供電電壓 (Vsup) 4.75 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) 5 V
表面貼裝 YES
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子面層 NICKEL GOLD
端子形式 BUTT
端子節(jié)距 1 mm
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 6 mm
