制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
環(huán)保
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TDSON-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
7.9 mOhms, 7.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
28 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
54 W
通道模式:
Enhancement
資格:
AEC-Q101
商標(biāo)名:
OptiMOS
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標(biāo):
Infineon Technologies
配置:
Dual
下降時(shí)間:
10 ns, 10 ns
高度:
1.27 mm
長(zhǎng)度:
5.9 mm
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
3 ns, 3 ns
系列:
OptiMOS-T2
包裝數(shù)量:
5000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
15 ns, 15 ns
典型接通延遲時(shí)間:
12 ns, 12 ns
寬度:
5.15 mm
零件號(hào)別名:
IPG20N04S4-09 SP000705570
單位重量:
96.880 mg
