類別
分立半導體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
TexasInstruments
系列
NexFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)
26A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
2.3毫歐@30A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.2V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
68nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
5070pF@20V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），156W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-VSON-CLIP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號
CSD18502
DRV5032FBDBZR
XC7A200T-2FFG1156C
TPS57060QDGQRQ1
LM2902DR
