NVMFS5C468NLAFT1

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid NVMFS5C468NLAFT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8257663043
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包裝代碼 488AA
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
Date Of Intro 2017-02-23
風(fēng)險(xiǎn)等級 5.24
雪崩能效等級（Eas） 95 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 37 A
最大漏極電流 (ID) 37 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0176 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 11 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 28 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 190 A
參考標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶體管元件材料 SILICON