UCC27321QDRQ1

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid UCC27321QDRQ1
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合
生命周期 Active
Objectid 1520469415
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 SOP, SOP8,.25
針數(shù) 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 1.8
Samacsys Description Automotive 9A High Speed Low-Side MOSFET Driver With Enable
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
高邊驅(qū)動(dòng)器 NO
接口集成電路類型 NAND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
濕度敏感等級(jí) 1
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
輸出特性 TOTEM-POLE
最大輸出電流 9 A
標(biāo)稱輸出峰值電流 9 A
輸出極性 INVERTED
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
電源 4.5/15 V
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
篩選級(jí)別 AEC-Q100
座面最大高度 1.75 mm
子類別 MOSFET Drivers
最大壓擺率 0.65 mA
最大供電電壓 15 V
最小供電電壓 4 V
標(biāo)稱供電電壓 14 V
表面貼裝 YES
技術(shù) BICMOS
溫度等級(jí) AUTOMOTIVE
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間 30
斷開時(shí)間 0.075 μs
接通時(shí)間 0.075 μs
寬度 3.9 mm