制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40V
Id-連續(xù)漏極電流: 120A
RdsOn-漏源導通電阻: 1.21mOhms
Vgs-柵極-源極電壓: -20V,+20V
Vgsth-柵源極閾值電壓: 2.6V
Qg-柵極電荷: 51nC
最小工作溫度: -55C
最大工作溫度: +175C
Pd-功率耗散: 115W
通道模式: Enhancement
商標: InfineonTechnologies
下降時間: 7ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3ns MOSFETs
晶體管類型: 1N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 13ns
典型接通延遲時間: 6ns
IAUC120N04S6N013
單位重量: 112.430mg
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